柏騰攜手晶成參加SEMICON 展示鈦銅種子層鍍膜技術攻先進封裝

SEMICON Taiwan 2026柏騰科技展出先進封裝應用。照片提供／柏騰科技

經濟日報 記者徐睦鈞／即時報導

柏騰科技（3518）攜手旗下子公司晶成材料共同參展SEMICON Taiwan 2026國際半導體展。憑藉多年真空濺鍍（PVD）技術與材料加工能力，柏騰持續布局高功率元件與先進封裝應用，將在這次展示「鈦／銅種子層」關鍵鍍膜技術，展出亮點涵蓋碳化矽（SiC）晶圓、HDI載板、ABF載板、氮化鋁（AlN）陶瓷載板、玻璃通孔（TGV）以及碳化矽通孔（TSiCV）、SiC微流道等多項應用。

鈦銅種子層成先進封裝金屬化關鍵

在先進封裝與先進載板的金屬化製程中，種子層的膜厚均勻性、連續性及界面附著力，是影響後續銅電鍍品質與封裝可靠度的重要因素。柏騰科技透過PVD製程技術優化，能在不同基材上形成具良好均勻性與附著力的鈦黏著層與銅導電種子層，藉此提升金屬層與基材間的界面品質，滿足高密度互連結構對金屬化製程的嚴苛要求。

相較於部分傳統濕式金屬化製程，PVD具有乾式製程及膜層純度高等特性；針對微孔及高長寬比結構的挑戰，柏騰科技持續透過製程參數與電漿技術優化，改善種子層的覆蓋率、連續性與附著力，成功將此項優勢延伸應用於ABF載板及AlN陶瓷載板等高階材料，進一步因應極細線路製造的技術需求。

布局下一代封裝：從TGV到TSiCV

除了先進載板應用之外，面對下一代AI晶片封裝對面板級封裝與高效散熱的需求，柏騰科技亦積極展現其研發的新興前瞻應用。玻璃基板因具備高平坦度、尺寸穩定性及良好的高頻電氣特性，被視為先進封裝極具潛力的下一代基板材料；柏騰科技針對玻璃與金屬間附著力以及深孔結構的金屬化需求，發展鈦銅種子層技術，持續優化微孔結構中的膜層覆蓋率與均勻性，為玻璃基板後續的銅電鍍及重佈線層（RDL）製程奠定基礎。

同時，針對高功率SiC元件應用，柏騰科技亦佈局TSiCV與晶圓背面金屬化（BGBM）製程，透過表面預處理與鈦銅金屬化技術提升SiC基材與金屬層間的界面品質，藉以滿足高功率元件對低電阻金屬化、高可靠度及封裝整合的需求。

載板線路化製程應用。照片提供／柏騰科技

 

突破高熱通量挑戰：晶圓級SiC微流道冷卻技術

在面對高算力與AI資料中心所帶來的高熱通量挑戰，傳統風冷與外部液冷方案對局部熱點的散熱能力受到限制。柏騰科技結合SiC高導熱特性與精密加工技術，提供「晶圓級微流道」直接冷卻方案。透過將微流道整合於接近熱源的SiC基板中，能發揮SiC材料高熱導率與優異熱穩定性的優勢，快速消弭熱點溫差，為高壓微流道散熱提供極致解法。

 

此外，SiC的熱膨脹係數與矽晶圓相近，能有助於降低界面熱應力，進而降低封裝結構翹曲與界面剝離的風險。憑藉其特性，SiC微流道可望滿足冷卻液循環與長時間運作下的結構可靠度需求，大幅提升先進封裝元件的長期可靠度。

 

SiC晶圓再生薄化應用。照片提供／柏騰科技

PVD種子層技術結合SiC材料拓展供應鏈版圖

 

柏騰科技自早期3C產品EMI/ESD真空濺鍍應用奠定根基，近年來積極投入先進製程技術開發，具備碳化矽材料供應、碳化矽精密加工技術與真空鍍膜物理氣相沉積技術，提供從「前端研發設計」到「後端規模量產」的全方位垂直整合服務；同時，透過旗下子公司晶成材料佈局SiC晶圓的研發與製造，匯聚頂尖化合物晶體專家團隊，致力打造高規格、高良率的垂直整合一條龍生產體系。

 

此次SEMICON Taiwan 2026將展示的鈦銅種子層技術，不僅反映柏騰在乾式鍍膜製程上的技術延伸，更展現公司持續切入高功率元件、先進封裝及第三代半導體市場的技術實力與戰略布局。